Запирающий слой (или обедненный слой) - это ключевое понятие в физике полупроводников, играющее важную роль в работе электронных устройств. Он представляет собой область на границе двух различных полупроводников или полупроводника и металла, где практически отсутствуют свободные носители заряда.
Содержание
Принцип образования запирающего слоя
Запирающий слой формируется в результате следующих процессов:
- Контакта материалов с разными типами проводимости
- Диффузии носителей заряда через границу раздела
- Образования внутреннего электрического поля
- Создания области пространственного заряда
Основные характеристики запирающего слоя
| Параметр | Описание |
| Толщина | Обычно от 0.1 до 10 микрон |
| Потенциальный барьер | 0.3-0.7 В для кремния |
| Концентрация носителей | На несколько порядков ниже, чем в объеме |
Применение запирающих слоев
- Полупроводниковые диоды
- Биполярные транзисторы
- Солнечные элементы
- Приборы с зарядовой связью (ПЗС)
Типы запирающих слоев
- p-n переход (основной тип)
- Переход металл-полупроводник (барьер Шоттки)
- Гетеропереход (разные полупроводники)
- Оксидные слои в МОП-структурах
Запирающий слой является фундаментальным элементом современной полупроводниковой электроники. Его свойства определяют рабочие характеристики большинства электронных устройств, от простых диодов до сложных интегральных схем.
